蒸发镀膜
发布时间:2017/07/03
简介:
1、本系统应用范围:应用半导体、太阳能、微电子产业、发光产业及实验室科学实验;
2、本系统主要用途:用于制备导电薄膜,半导体薄膜、光学薄膜、有机物薄膜及扫描电镜等;通过控制蒸发源挡板的开关可以实现镀制多层膜、单质膜、及复合薄膜。
主要技术性能指标:
1、蒸镀室极限真空度:
蒸镀室极限真空度:5.0×10-5Pa;
系统漏率:≤1×10-7PaL/S;
压升率:停泵关机12小时后真空度小于等于5Pa;
抽速:工作真空从大气抽至8×10-4Pa≤30min;
2、蒸镀室内径尺寸约为:?300×360(mm);
3、电阻蒸发源:共两个蒸发源;两组控制电源,功率为2000w,带有电动控制挡板;
蒸发距离:100-260mm连续可调;
4、样品尺寸:120mm*120mm,一次可放1片;
5、工件架:安装在真空室上盖上,适合于不同尺寸或不同类型的平面样品;样品架可以连续旋转,转速为0-60转/分连续可调,
6、样品加热:加热温度为500℃,采用加热炉为固定不动方式,样品架连续旋转,保证加热的均匀性;数显控温,温度在500℃以内可以随意设定,控温精度±1℃;
7、系统具有膜厚监视系统且膜厚测试仪有挡板系统,膜厚分辨率为1挨;
8、在样品与蒸发舟之间靠近样品位置安装掩膜板,掩膜板安装架固定在真空室上盖上,掩膜板厚度1.5mm;
9、设备具有断水断电以及突然暴露大气真空连锁保护功能;
10、系统配有冷却循环水,为分子泵、真空室、蒸发源、膜厚测试仪等冷却,到实验室后只需接上水源即可工作;
三、主要组成及实施方案:
该设备主要由蒸发镀膜室、真空抽气及测量系统、电阻蒸发源及控制电源、样品台及控制系统、石英振荡膜厚监测系统、样品加热及控制系统、电控系统以及辅助系统等组成。